0

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

270 руб.
Купить на сайте ЛитРес

Издатель: "БИНОМ. Лаборатория знаний"

Серия:

Год выхода: 2012

ISBN: 978-5-9963-0903-0

Информация о книге:
страниц: ~0
знаков: ~0
Жанры: Физика, Технические
Рейтинг: 0.000
Голосов: 0

Ваша оценка
Поделиться оценкой:
Поделиться с помощью Вконтакте Поделиться с помощью Facebook Поделиться с помощью Twitter
Добавлена: 30.06.2015
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро– и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро– и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Похожие книги

Отзывы читателей (0)

Подписаться на комментарии к этой книге