<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss version="2.0">
<channel>
<title>Королев М. А.  -Портал SamoLit.com</title>
<link>https://samolit.com/authors/18822/</link>
<description>СамоЛит - сайт независимых авторов</description>
<lastBuildDate></lastBuildDate>
<image>
<url>https://samolit.com/gif/samolit_logo.png</url>
<link>https://samolit.com</link>
<title>Портал SamoLit.com</title>
</image>
<item>
<title>М. А. Королев &amp;laquo;Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1&amp;raquo; - Книги на SamoLit.com</title>
<link>https://samolit.com/books/59964/</link>
<description><![CDATA[ Часть первая: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование.  Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.  Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области. ]]></description>
<author>М. А. Королев</author>
<pubDate>Tue, 30 Jun 2015 15:10:00 +0000</pubDate>
</item><item>
<title>М. А. Королев &amp;laquo;Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2&amp;raquo; - Книги на SamoLit.com</title>
<link>https://samolit.com/books/59965/</link>
<description><![CDATA[ Часть вторая. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования.  Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.  Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области. ]]></description>
<author>М. А. Королев</author>
<pubDate>Tue, 30 Jun 2015 15:10:00 +0000</pubDate>
</item>
</channel>
</rss>